Makaleler

Anasayfa /Makaleler /Maximum Güç Transferi

Maximum Güç Transferine Giriş

maximum-guc

İç dirence sahip herhangi bir kaynaktan bir yüke maksimum güç transferi yapılabilmesi için yük empedansı, kaynak iç empedansının kompleks eşleniği olmalıdır. Buna maksimum güç transferi teoremi denir. Empedans uyumu olmayan devrelerde sinyal geri yansır ve bu devrede gürültüye sebep olur, sistem düzgün çalışmaz. Peki böyle bir durumla karşılaşmamak için ne yapılmalı? Genel olarak kullanılan kaynakların iç direnci 50 ohm değerindedir. Yani kurulan devrenin Thevenin eşdeğer direnci kaynak direnci ile uyumlu 50 ohm olmalıdır. Basit entegrelerle yapılan küçük modüllerde kaynak girişinde paralel 51 ohm direnç vardır. Bu empedans uyumu sağlamak içindir. Genelde kurulan devrenin Thevenin eşdeğer direnci çok yüksek olduğundan girişe 51 ohm direnç yeterli olur. Ancak bu hassas Rf devrelerinde yeterli değildir. Rf devreler için kompleks empedansın da uyumlanması geri dönüşün minimuma indirilmesi gerekir. Sadece kaynak devre arasında da değil, devrede iki birim arası geçişlerde de empedans uyumu gereklidir. Devrelerde (Rf devreleri de dahil) genellikle iki birim arasında zayıflatıcı(attenuator) denilen geri dönüşleri zayıflatmak için dirençlerden oluşan uyumlama(match) devresi kurulur. Ancak bu sadece geri dönüşlere çözüm oluşturur. Maksimum güç transferi için kompleks empedans uyumlaması gerekir. Bu sadece dirençlerle değil, indüktör ve kapasitörlerle yapılan uyumlama(match) devresidir. Burada çok fazla teorik hesaplama vardır. Thomas H. Lee’nin ‘The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits’ adlı kitabında konu ile ilgili ayrıntılı bilgiler mevcuttur. Bu şekilde kurulan uyumlama devreleri hem maksimum güç transferi, hem de minimum geri dönüş sağladığından en sağlıklı yöntemdir. Not: Devreye koyulan her komponent belirli bir enerji harcar. Bu sebeple, minimum komponentle uyumlama yapmak daha iyi olacaktır. Ayrıca kullanılan indüktör sayısının mümkün olduğunca düşük olmasında, devrenin sağlıklı çalışması açısından, fayda vardır. Çünkü indüktörler çevrelerinde manyetik alan oluşturduğu için diğer komponentlere zarar verebilir. Bu sebeple indüktörlü kısımların etrafı koruyucu(shilding) metal ile kapatılır, diğer komponentlere olan etkisi azaltılır.